RTAシリーズ│アドバンス理工社製（赤外線ランプアニール装置）製品紹介│三弘エマテック株式会社
- RTAシリーズ│アドバンス理工社製（赤外線ランプアニール装置）製品紹介│三弘エマテック株式会社
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型式 RTAシリーズ メーカー アドバンス理工㈱
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製品説明
RTA-2000
試料寸法：φ2インチ×1枚
温度範囲：RT ～ 1000℃
最大昇温速度：100℃ /s
雰囲気：大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中
RTA-4000
試料寸法：φ3 ～ 4インチ×1枚
温度範囲：RT ～ 1000℃
最大昇温速度：200℃ /s
雰囲気：大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中
RTA-6000
試料寸法：φ4 ～ 6インチ×1枚
温度範囲：RT ～ 1000℃
最大昇温速度：200℃ /s
雰囲気：大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中
RTA-8000
試料寸法：φ6 ～ 8インチ×1枚
温度範囲：RT ～ 1000℃
最大昇温速度：200℃ /s
雰囲気：大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中
RTA-12000
試料寸法：300mm×1枚
温度範囲：RT ～ 1000℃
最大昇温速度：100℃ /s
雰囲気：大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中
※ 上記仕様のほか、複数ウェハ同時処理、ウェハカセット対応ロボット搬送付装置、昇降温速度、各種ガス雰囲気および真空加熱など、
各種特殊仕様も承ります。お気軽にご相談ください。
※製品画像はメーカーより許可を得て掲載しています
※機器のスペック仕様は、各メーカーのカタログ掲載値を引用
特徴
- 最高200℃ /sの昇温レートで加熱が可能
- C to C ロボット搬送システムの対応可能
- 半導体製造装置との連結が可能
- 複数枚の均熱処理を行えるランプのゾーン出力コントロール
- イオン注入後の活性化アニール
- 酸化膜生成アニール
- オーミック電極のアロイング
- PZT、SBT等強誘導体薄膜の結晶化アニール
- Siウエハのドナーキラー処理
- シリサイド形成、サリサイド形成
- 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
- 極浅接合形成
- 強誘電体キャパシタの成膜
- ゲート酸化膜形成
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