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ウエハ表面をイオンビームにより平坦化・凹凸除去

ウエハトリミング装置は、φ4インチもしくはφ6インチウエハに対して収束させたイオンビームを照射することでウエハ表面の凹凸をσ=1.0nm以下まで平坦化することができ、精密加工に貢献します。

実験装置がありますので、装置見学・実験対応等を受付けています。

【性能及び装置構成】

到達圧力　バッファー室：5.0Pa以下/トリミング室：8.0×10-4pa以下

排気時間　バッファー室：40Paまで90秒/トリミング室：6.7×10-3Paまで15分

排気系　バッファー室：ドライポンプ/トリミング室：ターボ分子ポンプ

スループット　約10分/ウエハ(Φ4インチ、SiO2膜、平均加工量100nm)

対応材質　Si、SiO2、LT、LNなど

加工精度　σ=1.0nm以下（典型値）

タイプ　枚葉式

構成　4室（カセット室、バッファー室、アライナー室、トリミング室）

処理枚数　1枚/バッチ（25枚用カセットを2個搭載）

対応基板　φ4インチ、φ6インチ（静電チャックを組み換えて対応）

基板ステージ　静電チャック+Heガス冷却

真空槽　トリミング室：W850mm×D510mm×H850mm

設置面積　W1,120mm×D3,870mm×H2,300mm

装置重量　2,700kg

＊加工精度およびスループットはウエハ材質や膜種、加工量等により異なります。

※製品画像はメーカーより許可を得て掲載しています

※機器のスペック仕様は、各メーカーのカタログ掲載値を引用

1.ロードロックタイプでトリミング室を常に真空に保てるため、安定性・再現性が高い。

2.真空中にダブルハンドでウエハの入れ替えを行うため搬送待ちによる時間ロスが最小限。

3.独自のウエハアライメント機構によりトリミング前後でウエハの割れ欠けの検知が可能。

4.イオンソース用グリッドのラインナップあり。（ハイレート用、高精度用、低コスト用など）

5.対象ウエハに合わせてハード面・ソフト面での各種カスタマイズが可能。

6.イオンソースの引取りメンテナンスサービスにより安定した装置運用の提供。