STNTRON HSR-351シリーズ│島津産機システムズ社製（ロードロック式高周波マグネトロン3層スパッタリング装置）製品紹介│三弘エマテック株式会社
- STNTRON HSR-351シリーズ│島津産機システムズ社製（ロードロック式高周波マグネトロン3層スパッタリング装置）製品紹介│三弘エマテック株式会社
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型式 STNTRON HSR-351シリーズ メーカー 島津産機システムズ㈱
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製品説明
・大学や研究所等での研究開発用途に最適な装置となります。
また、多品種少量生産にも最適です。
・装置の状態・各種パラメータがタッチパネルで設定・確認ができ視認性・操作性が各段に良くなりました。
操作性：セミオート機能⇒ロードロック室から基板の投入・取出までの一連の捜査が簡単です。
成膜補助機能⇒・成膜時間パラメータでスパッタ後の放電停止・ガス弁閉を自動運転。
・スパッタ処理時間を前もって設定ができ、作業者が常についていなくとも放電切り忘れ、
ガス弁閉め忘れによる無駄な経費を削減します。
安全性：・インターロックによる誤操作防止
・アラーム機能による安全確保
・異常処置内容が表示され復旧作業をサポート
・異常履歴で発生日時を記憶
メンテナンス性：ユーザーの装置稼働状況に合わせて、効率よくメンテナンスを行っていただくために
任意に設定が行えるようメンテナンスパラメータを装備しています。
※製品画像はメーカーより許可を得て掲載しています
※機器のスペック仕様は、各メーカーのカタログ掲載値を引用
特徴
・低価格にて高性能で使いやすい製品です。
・基板回成膜時：膜厚分布±5%以下（Φ100mm内）
・基板静止時：膜厚分布±10%以下（Φ40mm内）
・ロードロック室装備で、サイクルタイムを短縮
・液晶タッチパネルで画面の視認性および操作性向上
・真空排気・基板搬送・放電タイマーの自動化
・装置改造、展開にも柔軟に対応
HSR-351仕様
形成膜：金属、絶縁物等
膜厚分布：回転時⇒Φ100mmエリア±5%、静止時⇒Φ40mmエリア±10%
スパッタ方式：デポアップ
電極間距離：70～110mm
ターゲットホルダー：2インチ 3基
基板サイズ：回転時⇒Φ150mm、静止時⇒Φ50mm
基板取付枚数：1枚
回転数：MAX20rpm
ヒーター：MAX300℃（基板表面）
主ポンプ：油拡散真空ポンプ（DP）
補助ポンプ：油回転真空ポンプ（RP）
到達圧力：10-4Pa台
ガス導入系：Ar-マスフローコントローラー（MFC) 1系統
高周波電源：13.6MHz 200W
冷却水：温度⇒5～25℃、流量⇒6L/min、圧力⇒0.2~0.3MPa・G
スパッタ用Arガス：0.1~0.2MPa・G
チャンバーリーク用N2ガス：0.1~0.2MPa・G（空気でも可）
ポンプリーク用N2ガス：0.02MPa・G（空気でも可）
圧空：0.4~0.5MPa・G
ポンプ排気：許容排気口圧力⇒20kPa・G以下
電源：AC200V、3Φ、60Hz、5KVA
アース：Aタイプ
重量：480Kg
設置面積：W1930mm×D1100mm×H1650mm
オプション：オイルミストトラップ、液体窒素トラップ、逆スパッタ機構
HSR-351L ロードロック付き仕様
形成膜：金属、絶縁物等
膜厚分布：回転時⇒Φ100mmエリア±5%、静止時⇒Φ40mmエリア±10%
スパッタ方式：デポアップ
電極間距離：70～110mm
ターゲットホルダー：2インチ 3基
基板サイズ：回転時⇒Φ150mm、静止時⇒Φ50mm
基板取付枚数：1枚
回転数：MAX20rpm
ヒーター：MAX300℃（基板表面）
主ポンプ：油拡散真空ポンプ（DP）
補助ポンプ：油回転真空ポンプ（RP）
到達圧力：ロードロック室⇒6.7Pa、スパッタ室⇒10-4Pa台
ガス導入系：Ar-マスフローコントローラー（MFC) 1系統
高周波電源：13.6MHz 200W
冷却水：温度⇒5～25℃、流量⇒6L/min、圧力⇒0.2~0.3MPa・G
スパッタ用Arガス：0.1~0.2MPa・G
チャンバーリーク用N2ガス：0.1~0.2MPa・G（空気でも可）
ポンプリーク用N2ガス：0.02MPa・G（空気でも可）
圧空：0.4~0.5MPa・G
ポンプ排気：許容排気口圧力⇒20kPa・G以下
電源：AC200V、3Φ、60Hz、5KVA
アース：Aタイプ
重量：500Kg
設置面積：W2800mm×D1100mm×H1650mm
オプション：オイルミストトラップ、液体窒素トラップ、逆スパッタ機構
環境に優しい選択：クリーンな製造プロセスとしてのスパッタリング
スパッタリングは物質を原子レベルまで分解し、それを別の物質の表面に一様に散布するプロセスです。これは、例えば半導体デバイスやナノテクノロジー製品の製造において、特定の材料を極めて薄く、かつ均一に塗布するために用いられます。
このプロセスが環境に優しいとされる理由は、その効率性とクリーンさにあります。また、スパッタリングは、有害な化学物質を排出することなく、高品質な薄膜を形成することができます。
つまり、スパッタリングは、製造プロセスにおける材料利用効率の最大化と環境負荷の最小化を同時に実現する技術なのです。これは、製造業における持続可能性と効率性の追求に直結しています。この観点から、スパッタリングはクリーンな製造プロセスと言えるでしょう。
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